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套煎图二MoS2/PbI2异质结的制备与光学性质（a）干法转移制备MoS2/PbI2的示意图（b）MoS2/PbI2异质结的晶体结构（c）MoS2/PbI2异质结与单层MoS2的拉曼光谱对比。【引言】日渐丰富的材料种类与可构筑范德华异质结的特点，煎饼街为二维材料在功能化微纳器件领域的应用奠定基础。
果攻陷（e）PbI2纳米片（厚度10nm）的拉曼光谱。但大量的理论和实验结果证明，纽约TMD/TMD异质结多为Type-II型异质结，纽约虽然黑磷与TMD材料可以形成不同类型异质结，但黑磷能带较窄，对TMD大多起到发光淬灭的作用。
